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更なる大容量化を目指して

1987年にNAND型フラッシュメモリが発明され、1991年に世界で初めて量産されて以降、メモリ素子配線幅の微細化により記憶容量を増やしてきました。しかし微細化によって引き起こされる様々な問題により、平面構造のNAND型フラッシュメモリでは更なる容量増に対する技術難易度が非常に高くなっています。
そこでこの問題を打破するため、フラッシュメモリの3次元積層構造が考案され2007年に世界で初めて公表(注1)、開発が進められ3次元フラッシュメモリ：BiCS FLASHが製品化されました。

ターゲットアプリケーション

今日の情報化社会で取り扱われるデータの量は増加の一途を辿っています。これらの大量のデータを管理するビッグデータシステムや、情報を半永久的に保存するデータセンターやクラウドサービスなど、データを低消費電力で高速に処理、記憶、および管理できる大容量ストレージが求められています。またスマートフォン、タブレット、メモリカード等は低消費電力化が求められています。平面構造のNAND型フラッシュメモリと比較して多くの特長を持つBiCS FLASHは、市場要求に応える最適なソリューションです。